“抛光的时候，下盘在电动机的带动下转动，粘有硅片的平板可绕本身的轴转动，保证了抛光的均匀。
从下盘的中-央注入抛光液，也是我们研发的自主专利技术产品，抛光液可以在离心力作用下向周围散开。
在抛光过程中，旁边的测温仪会精准控制盘温，在摩擦产生的热量的促进下，抛光液中的oh-根使硅片表面氧化，同时抛光液中的抛光粉颗粒将氧化层磨去，从而起到了将硅片表面逐渐抛光的作用。”
李毅风简单讲了一下他们确定的抛光工艺流程。
与光刻胶不同，抛光工艺考的就是一个材料精密和胆大心细，所以周瑜并没有过多深入这个项目，而是在给了技术参数相关文件之后，就当起了甩手掌柜。
“按照您给出的文件标准，晶圆需要经过边缘粗抛和表面精抛两次加工处理，其表面才能达到芯片制造的工艺要求。
但是在实际实验的过程中，我们发现国外那个实验室这样做的原因其实是对成本的取舍。
边缘抛光的目的是去除硅片表面残留的机械损伤，降低微粒附着于晶圆的可能性，并使晶圆具有较佳的机械强度，以降低因碰撞而产生碎片的可能性，我们将边缘抛光的时间拉长，并且增加了更精密的压力传感器之后，已经够达到从晶圆表面去除20um（微米）到10um（微米）左右厚度的技术标准?
第二次精抛，目的是去除第一次抛光在硅片表面留下的轻微损伤和云雾状缺陷，这一个流程非常难处理，后续我们也是找设备研发部门，花费巨资购买了一台抛光机，拆分研究，逆向工程之后，才发现了其中奥秘。
最终的抛光步骤并不是只有一层抛光那么简单。
我们需要进行化学腐蚀和机械摩擦的结合，晶圆被装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转，我们研发的二氧化硅抛光液必须要悬浮在适度的含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上，让碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。
接着再让抛光机以持续的机械摩擦，去除氧化物，直到晶圆表面的所有突出高点都被去除掉，才能够获得一块标准的平整表面。
抛光时间，晶圆和抛光垫上的压力、旋转速度、抛光液颗粒尺寸、抛光液流速、抛光液的ph值、抛光垫材料等项目，我们都进行了内部重建和开发。
幸运的是，咱们的研发团队足够年轻，学习知识的速度快，所以在进行了重组之后，大家可以很快学习技术并且上手实操，反馈优化。”
李毅风一边讲解的时候，一边递给了周瑜一份人员名单。
“董事长，这是几位比较突出的研发人员，他们学习技术的速度很快，而且常常能够举一反三，特别是那位西工大毕业的学生，郑海，他不仅参与了抛光液的研发，还在光抛器这个机械项目上有很多点子。
只不过有一点我们需要重视，那就是为了部分设备的精密度足够优秀，又不引起霓虹岛国和高丽那边企业的敏感性，我们团队高价从德国购买了精密度高的机床，同时还让人力资源部门帮忙招聘了一个工程师团队。