除了工厂之外，半导体部门与天玑手机项目部门、平板电脑研发部门的各研究员，也在疯狂的加班加点。
而且比起工厂上班需要下-体力的工人们不同，这些研究员基本就是吃住都在部门园区，平常没有事情，全都都是大门不出二门不迈。
“按下游应用划分，我们要为夏芯国际开发半导体光刻胶、为晶东方开发LCd光刻胶、pCB光刻胶。紫外宽谱、g线、i线、krf、Arf、euv这六个主要种类都需要有足够的涉猎。”
“都说了这些东西都要应用在微细图形加工中，谁说的能够不注意个人卫生啊？越是精密的加工技术，就越需要注意我们个人卫生！”
“看好这个材料表，虽然不是euv紫极外光的光刻胶，但你们看清楚这个配方，萘基、二甲基锍三氟甲磺酸盐、二羟基、二甲基锍三氟甲磺酸盐、二苯基锍三氟甲磺酸盐……
首先我们先尝试将phs树脂、光致产酸剂、交联剂、流平剂和溶剂混合，搅拌溶解后，经孔径为0.45\/0.22um的微孔滤膜过滤器过滤，得到光刻胶。
纯度肯定不行，现在又不是让我们将纯度最高的最好最优秀
的光刻胶做出来！
现在我们需要的是能够做，能够填饱肚子！连uv光刻胶都造不出来，还想造euv紫极外光的光刻胶？做梦！
看到没有，前烘的温度为80-110c，前烘的时间大致为40-80s；所述曝光的能量为100-400msec；所述后烘的温度为80-110c，后烘的时间为40-80s；所述显影的显影液为质量分数2.38％的四甲基氢氧化铵水溶液，显影的时间为60s。
与夏芯国际跟我们提供的光刻胶对比，这个技术配比的光刻胶确实有一部分增益效果，交联剂的添加量为0.55-0.75％，驻波效应得到改善，特别是交联剂的添加量为0.5％时驻波效应改善最明显，效果最好。
不过这个添加剂的量必须要严格光控，每一毫克都不能够出问题！
既要保证得到图形的成膜强度，又要减小交联程度，更要减小显影液浸泡光刻胶侧面由过曝光和欠曝光带来的差异。
这个附图上面的批注和说明有问题，是谁先写上去的？”
杨刚省在周瑜面前，是一个温文尔雅的有识之士，技术中年人。
但是在进入研发状态，带团队进行光刻胶研发的时候，就像是一个实验室暴君，每天不是在喷人，就是在教育人的路上，甚至还有年龄比较小的研究人员被他给训哭。
“哭？男子汉大丈夫，哭起来像个娘们！你手抖得都不会加材料了！浪费了材料，你去赔损失吗？！
知道错了，就去改！”
“谁洗的玻璃管？！你是硕士没毕业吗？连个玻璃管都刷洗不干净，是想我带你回去读书吗？丢我的脸！”